Abstract:
Исследованы оже-спектры поверхностей кристаллов.Разработана модель и восстановлены «истинные» оже-линии элементов (Zn, Cd, As. Р) по дифференциальным спектрам. Получено распределение плотности занятых состояний в валентной зоне. Показано, что валентная зона в соединениях Z11P2, ZnAs2> CdP2 и CdP4 состоит из групп зон (подзон), максимумы плотности занятых состояний в которых разделены на различные величины. Определены величина расщепления валентных зон. Показано, что восстановленные оже-линии в совокупности с рентгеновскими спектрами представляют информацию о формировании валентной зоны 5- или Р-состояниями цинка или фосфора.